场效应管（MOSFET）的主要参数包括以下几类：
饱和漏极电流 （IDSS）：在栅源电压 UGS = 0 且漏源电压 UDS 大于夹断电压 UP 时，漏极电流达到的最大值。
夹断电压 （UP）：使漏极电流 ID 减小到非常小的值（通常为 1 μA 或 50 μA）所需的栅源电压 UGS。
开启电压 （UT）：使漏极电流 ID 达到某一数值（例如 10 μA）时所需的栅源电压 UGS，适用于增强型绝缘栅场效应管。
直流输入电阻 （RGS）：栅源之间的电阻，由于栅极几乎不索取电流，输入电阻非常高，结型场效应管的 RGS 可达 10^6 Ω 以上，而 MOS 管可达 10^10 Ω 以上。
低频跨导 （gm）：描述栅源电压 UGS 对漏极电流 ID 的控制能力，即漏极电流 ID 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值。
极间电容：场效应管三个电极（栅极 G、源极 S、漏极 D）之间的电容，包括 CGS、CGD 和 CDS，这些电容值越小表示管子的性能越好。
漏源击穿电压 （BUDS）：在场效应管的漏源电压 UDS 一定时，能承受的最大漏源电压，超过此电压会导致漏极电流急剧上升并产生雪崩击穿。
栅源击穿电压 （BUGS）：栅极和源极之间能承受的最大工作电压。
最大耗散功率 （PDSM）：场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率，实际功耗应小于此值并留有一定余量。
最大漏源电流 （IDSM）：场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
这些参数是评估场效应管性能、设计电路和选择合适器件的重要依据。在实际应用中，需要根据具体的应用场景和需求来选择合适的参数进行评估和优化。